Image is for reference only , details as Specifications

FP25R12KT4BOSA1

メーカー: Infineon Technologies
対象品目: Transistors - IGBTs - Modules
データシート: FP25R12KT4BOSA1
説明: IGBT MODULE VCES 1200V 40A
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Infineon Technologies
対象品目 Transistors - IGBTs - Modules
入力 Standard
シリーズ -
igbtタイプ Trench Field Stop
部地位 Active
-マックス 160W
構成 Three Phase Inverter
取付タイプ Chassis Mount
ntc thermistor Yes
パケット/場合 Module
作動温度 -40°C ~ 150°C
サプライヤー装置パッケージ Module
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 25A
現在-コレクター・Ic (Max) 25A
入力容量(Cies) @ Vce 1.45nF @ 25V
トラッキング・キュートフ(マックス) 1mA
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 1200V

在庫が 88 pcs

いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$62.11 $60.87 $59.65
最小: 1

要求引用

下の書類に記入して、できるだけ早くご連絡します

Bargain Finds

VS-100MT060WDF
Vishay / Semiconductor - Diodes Division
$62.09
MIXA40WB1200TED
IXYS
$61.73
FP25R12KT4B11BOSA1
Infineon Technologies
$61.32
FS3L25R12W2H3B11BPSA1
Infineon Technologies
$60.88
FS50R06KE3BOSA1
Infineon Technologies
$60.39