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FS45MR12W1M1B11BOMA1

メーカー: Infineon Technologies
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート: FS45MR12W1M1B11BOMA1
説明: MOSFET MODULE 1200V 50A
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Infineon Technologies
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ CoolSiC™+
fet234タイプ 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
fet特徴 Silicon Carbide (SiC)
部地位 Active
-マックス 20mW (Tc)
取付タイプ Chassis Mount
パケット/場合 Module
Vgs(th) (Max) @ Id 5.55V @ 10mA
作動温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 45mOhm @ 25A, 15V (Typ)
サプライヤー装置パッケージ AG-EASY1BM-2
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 62nC @ 15V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 1200V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 1840pF @ 800V
現在25%で安全連続(id) @°c 25A (Tj)

在庫が 5 pcs

いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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