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FS75R07N2E4B11BOSA1

メーカー: Infineon Technologies
対象品目: Transistors - IGBTs - Modules
データシート: FS75R07N2E4B11BOSA1
説明: MOD IGBT LOW PWR ECONO2-6
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Infineon Technologies
対象品目 Transistors - IGBTs - Modules
入力 Standard
シリーズ -
igbtタイプ Trench Field Stop
部地位 Active
-マックス 250W
構成 Three Phase Inverter
取付タイプ Chassis Mount
ntc thermistor Yes
パケット/場合 Module
作動温度 -40°C ~ 150°C
サプライヤー装置パッケージ Module
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 75A
現在-コレクター・Ic (Max) 75A
入力容量(Cies) @ Vce 4.6nF @ 25V
トラッキング・キュートフ(マックス) 1mA
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 650V

在庫が 58 pcs

いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$72.79 $71.33 $69.91
最小: 1

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