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FZ1200R17HP4B2BOSA2

メーカー: Infineon Technologies
対象品目: Transistors - IGBTs - Modules
データシート: FZ1200R17HP4B2BOSA2
説明: MODULE IGBT IHMB130-1
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Infineon Technologies
対象品目 Transistors - IGBTs - Modules
入力 Standard
シリーズ -
igbtタイプ Trench Field Stop
部地位 Active
-マックス 7800W
構成 Half Bridge
取付タイプ Chassis Mount
ntc thermistor No
パケット/場合 Module
作動温度 -40°C ~ 150°C
サプライヤー装置パッケージ Module
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 2.25V @ 15V, 1200A
現在-コレクター・Ic (Max) 1200A
入力容量(Cies) @ Vce 97nF @ 25V
トラッキング・キュートフ(マックス) 5mA
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 1700V

在庫が 51 pcs

いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$933.27 $914.60 $896.31
最小: 1

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