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FZ800R12KE3HOSA1

メーカー: Infineon Technologies
対象品目: Transistors - IGBTs - Modules
データシート: FZ800R12KE3HOSA1
説明: IGBT MODULE 1200V 800A
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Infineon Technologies
対象品目 Transistors - IGBTs - Modules
入力 Standard
シリーズ *
igbtタイプ Trench Field Stop
部地位 Active
-マックス 3550W
構成 Single
取付タイプ Chassis Mount
ntc thermistor No
パケット/場合 Module
作動温度 -40°C ~ 125°C (TJ)
サプライヤー装置パッケージ Module
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 800A
現在-コレクター・Ic (Max) 800A
入力容量(Cies) @ Vce 56nF @ 25V
トラッキング・キュートフ(マックス) 5mA
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 1200V

在庫が 71 pcs

いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$155.13 $152.03 $148.99
最小: 1

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