画像は参考までに、仕様書を参照してください

FZ800R45KL3B5NOSA2

メーカー: Infineon Technologies
対象品目: Transistors - IGBTs - Modules
データシート: FZ800R45KL3B5NOSA2
説明: MODULE IGBT A-IHV130-4
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Infineon Technologies
対象品目 Transistors - IGBTs - Modules
入力 Standard
シリーズ -
igbtタイプ Trench Field Stop
部地位 Active
-マックス 9000W
構成 Half Bridge
取付タイプ Chassis Mount
ntc thermistor No
パケット/場合 Module
作動温度 -50°C ~ 125°C
サプライヤー装置パッケージ Module
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 2.85V @ 15V, 800A
現在-コレクター・Ic (Max) 1600A
入力容量(Cies) @ Vce 3.1nF @ 25V
トラッキング・キュートフ(マックス) 5mA
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 4500V

在庫が 95 pcs

いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1,716.66 $1,682.33 $1,648.68
最小: 1

要求引用

下の書類に記入して、できるだけ早くご連絡します

Bargain Finds

FZ1200R33HE3BPSA1
Infineon Technologies
$1664.28
FZ3600R17HP4B2BOSA2
Infineon Technologies
$1641.76
MIO1200-33E10
IXYS
$1633.91
DD800S45KL3B5NPSA1
Infineon Technologies
$1588.86
FZ1000R33HL3BPSA1
Infineon Technologies
$1554.13