画像は参考までに、仕様書を参照してください
IAUS200N08S5N023ATMA1
| メーカー: | Infineon Technologies |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| データシート: | IAUS200N08S5N023ATMA1 |
| 説明: | MOSFET N-CH 80V 200A PG-HSOG-8-1 |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 対象品目 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
| fet234タイプ | N-Channel |
| 包装 | Digi-Reel® |
| vgs max | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| fet特徴 | - |
| 部地位 | Discontinued at Digi-Key |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パケット/場合 | 8-PowerSMD, Gull Wing |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 130µA |
| 作動温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rdsデータ(Max) @ Vgs | 2.3mOhm @ 100A, 10V |
| 電力放蕩(マックス) | 200W (Tc) |
| サプライヤー装置パッケージ | PG-HSOG-8-1 |
| ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
| ソース電圧(Vdss)へドレインする。 | 80V |
| 入力容量(Ciss) (Max) @ Vds | 7670pF @ 40V |
| 現在25%で安全連続(id) @°c | 200A (Tc) |
| 駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) | 6V, 10V |
在庫が 96 pcs
| いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
最小: 1
要求引用
下の書類に記入して、できるだけ早くご連絡します
Bargain Finds
