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IAUT165N08S5N029ATMA2

メーカー: Infineon Technologies
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: IAUT165N08S5N029ATMA2
説明: 80V 165A 2.9MOHM TOLL
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Infineon Technologies
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ OptiMOS™
fet234タイプ N-Channel
包装 Digi-Reel®
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 8-PowerSFN
Vgs(th) (Max) @ Id 3.8V @ 108µA
作動温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 2.9mOhm @ 80A, 10V
電力放蕩(マックス) 167W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ PG-HSOF-8-1
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 90nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 80V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 6370pF @ 40V
現在25%で安全連続(id) @°c 165A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 6V, 10V

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