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IDC08S120EX1SA3
| メーカー: | Infineon Technologies |
|---|---|
| 対象品目: | Diodes - Rectifiers - Single |
| データシート: | IDC08S120EX1SA3 |
| 説明: | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 7.5A WAFER |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 対象品目 | Diodes - Rectifiers - Single |
| 速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| シリーズ | CoolSiC™+ |
| 包装 | Bulk |
| ダイオードタイプ | Silicon Carbide Schottky |
| 部地位 | Obsolete |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パケット/場合 | Die |
| 容量@ Vr, F | 380pF @ 1V, 1MHz |
| サプライヤー装置パッケージ | Sawn on foil |
| 反転回復時間(trr) | 0ns |
| 逆流漏れ@ Vr | 180µA @ 1200V |
| 電圧—DCリバースパス(Vr) (Max | 1200V |
| 電流-平均整流器(Io) | 7.5A (DC) |
| 操作温度-接合部 | -55°C ~ 175°C |
| -前进(Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 7.5A |