IDC51D120T6MX1SA3
メーカー: | Infineon Technologies |
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対象品目: | Diodes - Rectifiers - Single |
データシート: | IDC51D120T6MX1SA3 |
説明: | DIODE GEN PURP 1.2KV 100A WAFER |
rohs地位: | rohs化 |
属性 | 属性値 |
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メーカー | Infineon Technologies |
対象品目 | Diodes - Rectifiers - Single |
速度 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
シリーズ | - |
包装 | Bulk |
ダイオードタイプ | Standard |
部地位 | Active |
取付タイプ | Surface Mount |
パケット/場合 | Die |
容量@ Vr, F | - |
サプライヤー装置パッケージ | Sawn on foil |
逆流漏れ@ Vr | 18µA @ 1200V |
電圧—DCリバースパス(Vr) (Max | 1200V |
電流-平均整流器(Io) | 100A |
操作温度-接合部 | -40°C ~ 175°C |
-前进(Vf) (Max) @ If | 2.05V @ 100A |
在庫が 92 pcs
いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$7.60 | $7.45 | $7.30 |
最小: 1