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IDH08G65C6XKSA1
| メーカー: | Infineon Technologies |
|---|---|
| 対象品目: | Diodes - Rectifiers - Single |
| データシート: | IDH08G65C6XKSA1 |
| 説明: | DIODE SCHOTTKY 650V 20A TO220-2 |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 対象品目 | Diodes - Rectifiers - Single |
| 速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| シリーズ | - |
| 包装 | Tube |
| ダイオードタイプ | Silicon Carbide Schottky |
| 部地位 | Active |
| 取付タイプ | Through Hole |
| パケット/場合 | TO-220-2 |
| 容量@ Vr, F | 401pF @ 1V, 1MHz |
| サプライヤー装置パッケージ | PG-TO220-2 |
| 反転回復時間(trr) | 0ns |
| 逆流漏れ@ Vr | 27µA @ 420V |
| 電圧—DCリバースパス(Vr) (Max | 650V |
| 電流-平均整流器(Io) | 20A (DC) |
| 操作温度-接合部 | -55°C ~ 175°C |
| -前进(Vf) (Max) @ If | 1.35V @ 8A |
