画像は参考までに、仕様書を参照してください

IGB03N120H2ATMA1

メーカー: Infineon Technologies
対象品目: Transistors - IGBTs - Single
データシート: IGB03N120H2ATMA1
説明: IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO263-3
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Infineon Technologies
対象品目 Transistors - IGBTs - Single
シリーズ -
igbtタイプ -
包装 Tape & Reel (TR)
入力タイプ Standard
門電荷 22nC
部地位 Not For New Designs
-マックス 62.5W
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
実験条件 800V, 3A, 82Ohm, 15V
スイッチングエネルギー 290µJ
td (on / off) @ 25°c 9.2ns/281ns
作動温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤー装置パッケージ PG-TO263-3
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 3A
現在-コレクター・Ic (Max) 9.6A
現在-コレクターピン(Icm) 9.9A
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 1200V

在庫が 55 pcs

いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.97 $0.95 $0.93
最小: 1

要求引用

下の書類に記入して、できるだけ早くご連絡します

Bargain Finds

IKD10N60RFAATMA1
Infineon Technologies
$0.96
IKD10N60RAATMA2
Infineon Technologies
$0.94
IRGR2B60KDTRRPBF
Infineon Technologies
$0.93
FGD3050G2
ON Semiconductor
$0.92
NGB8202ANTF4G
Littelfuse Inc.
$0.92