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IGLD60R070D1AUMA1

メーカー: Infineon Technologies
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: IGLD60R070D1AUMA1
説明: IC GAN FET 600V 60A 8SON
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Infineon Technologies
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ CoolGaN™
fet234タイプ N-Channel
包装 Digi-Reel®
vgs max -10V
技術 GaNFET (Gallium Nitride)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 8-LDFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) @ Id 1.6V @ 2.6mA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs -
電力放蕩(マックス) 114W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ PG-LSON-8-1
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 600V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 380pF @ 400V
現在25%で安全連続(id) @°c 15A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) -

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