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IGP30N65H5XKSA1

メーカー: Infineon Technologies
対象品目: Transistors - IGBTs - Single
データシート: IGP30N65H5XKSA1
説明: IGBT TRENCH 650V 55A TO220-3
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Infineon Technologies
対象品目 Transistors - IGBTs - Single
シリーズ TrenchStop™
igbtタイプ Trench
包装 Tube
入力タイプ Standard
門電荷 70nC
部地位 Active
-マックス 188W
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-220-3
実験条件 400V, 15A, 23Ohm, 15V
スイッチングエネルギー 280µJ (on), 100µJ (off)
td (on / off) @ 25°c 19ns/177ns
作動温度 -40°C ~ 175°C (TJ)
サプライヤー装置パッケージ PG-TO220-3
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 30A
現在-コレクター・Ic (Max) 55A
現在-コレクターピン(Icm) 90A
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 650V

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