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IGT60R190D1SATMA1

メーカー:	Infineon Technologies
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	IGT60R190D1SATMA1
説明:	IC GAN FET 600V 23A 8HSOF
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Infineon Technologies
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	CoolGaN™
fet234タイプ	N-Channel
包装	Digi-Reel®
vgs max	-10V
技術	GaNFET (Gallium Nitride)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	8-PowerSFN
Vgs(th) (Max) @ Id	1.6V @ 960µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	-
電力放蕩(マックス)	55.5W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	PG-HSOF-8-3
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	600V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	157pF @ 400V
現在25%で安全連続(id) @°c	12.5A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	-