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IHD10N60RA

メーカー: Infineon Technologies
対象品目: Transistors - IGBTs - Single
データシート: IHD10N60RA
説明: IGBT 600V 20A 110W TO252-3
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Infineon Technologies
対象品目 Transistors - IGBTs - Single
シリーズ TrenchStop®
igbtタイプ Trench
包装 Tape & Reel (TR)
入力タイプ Standard
門電荷 62nC
部地位 Obsolete
-マックス 110W
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
実験条件 400V, 10A, 23Ohm, 15V
スイッチングエネルギー 270µJ
td (on / off) @ 25°c -/170ns
作動温度 -40°C ~ 175°C (TJ)
サプライヤー装置パッケージ PG-TO252-3
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 10A
現在-コレクター・Ic (Max) 20A
現在-コレクターピン(Icm) 30A
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 600V

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