IKB03N120H2ATMA1
メーカー: | Infineon Technologies |
---|---|
対象品目: | Transistors - IGBTs - Single |
データシート: | IKB03N120H2ATMA1 |
説明: | IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO220-3 |
rohs地位: | rohs化 |
属性 | 属性値 |
---|---|
メーカー | Infineon Technologies |
対象品目 | Transistors - IGBTs - Single |
シリーズ | - |
igbtタイプ | - |
包装 | Tape & Reel (TR) |
入力タイプ | Standard |
門電荷 | 22nC |
部地位 | Not For New Designs |
-マックス | 62.5W |
取付タイプ | Surface Mount |
パケット/場合 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
実験条件 | 800V, 3A, 82Ohm, 15V |
スイッチングエネルギー | 290µJ |
td (on / off) @ 25°c | 9.2ns/281ns |
作動温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
サプライヤー装置パッケージ | PG-TO263-3-2 |
v(オン)(Max) @ Vge, Ic | 2.8V @ 15V, 3A |
反転回復時間(trr) | 42ns |
現在-コレクター・Ic (Max) | 9.6A |
現在-コレクターピン(Icm) | 9.9A |
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 1200V |
在庫が 81 pcs
いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$1.27 | $1.24 | $1.22 |
最小: 1