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IKB03N120H2ATMA1

メーカー: Infineon Technologies
対象品目: Transistors - IGBTs - Single
データシート: IKB03N120H2ATMA1
説明: IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO220-3
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Infineon Technologies
対象品目 Transistors - IGBTs - Single
シリーズ -
igbtタイプ -
包装 Tape & Reel (TR)
入力タイプ Standard
門電荷 22nC
部地位 Not For New Designs
-マックス 62.5W
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
実験条件 800V, 3A, 82Ohm, 15V
スイッチングエネルギー 290µJ
td (on / off) @ 25°c 9.2ns/281ns
作動温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤー装置パッケージ PG-TO263-3-2
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 3A
反転回復時間(trr) 42ns
現在-コレクター・Ic (Max) 9.6A
現在-コレクターピン(Icm) 9.9A
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 1200V

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