IKD10N60RFATMA1
メーカー: | Infineon Technologies |
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対象品目: | Transistors - IGBTs - Single |
データシート: | IKD10N60RFATMA1 |
説明: | IGBT 600V 20A 150W PG-TO252-3 |
rohs地位: | rohs化 |
属性 | 属性値 |
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メーカー | Infineon Technologies |
対象品目 | Transistors - IGBTs - Single |
シリーズ | TrenchStop® |
igbtタイプ | Trench Field Stop |
包装 | Digi-Reel® |
入力タイプ | Standard |
門電荷 | 64nC |
部地位 | Active |
-マックス | 150W |
取付タイプ | Surface Mount |
パケット/場合 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
実験条件 | 400V, 10A, 26Ohm, 15V |
ベース部材番号 | *KD10N60 |
スイッチングエネルギー | 190µJ (on), 160µJ (off) |
td (on / off) @ 25°c | 12ns/168ns |
作動温度 | -40°C ~ 175°C (TJ) |
サプライヤー装置パッケージ | PG-TO252-3 |
v(オン)(Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 10A |
反転回復時間(trr) | 72ns |
現在-コレクター・Ic (Max) | 20A |
現在-コレクターピン(Icm) | 30A |
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 600V |
在庫が 2053 pcs
いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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最小: 1