Image is for reference only , details as Specifications

IMW120R090M1HXKSA1

メーカー:	Infineon Technologies
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	IMW120R090M1HXKSA1
説明:	COOLSIC MOSFETS 1200V
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Infineon Technologies
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	CoolSiC™
fet234タイプ	N-Channel
vgs max	+23V, -7V
技術	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Through Hole
パケット/場合	TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id	5.7V @ 3.7mA
作動温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	117mOhm @ 8.5A, 18V
電力放蕩(マックス)	115W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	PG-TO247-3-41
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	21nC @ 18V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	1.2kV
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	707pF @ 800V
現在25%で安全連続(id) @°c	26A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	15V, 18V