画像は参考までに、仕様書を参照してください
IMW120R350M1HXKSA1
| メーカー: | Infineon Technologies |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| データシート: | IMW120R350M1HXKSA1 |
| 説明: | COOLSIC MOSFETS 1200V |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 対象品目 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| シリーズ | CoolSiC™ |
| fet234タイプ | N-Channel |
| vgs max | +23V, -7V |
| 技術 | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| fet特徴 | - |
| 部地位 | Active |
| 取付タイプ | Through Hole |
| パケット/場合 | TO-247-3 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.7V @ 1mA |
| 作動温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rdsデータ(Max) @ Vgs | 455mOhm @ 2A, 18V |
| 電力放蕩(マックス) | 60W (Tc) |
| サプライヤー装置パッケージ | PG-TO247-3-41 |
| ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs | 5.3nC @ 18V |
| ソース電圧(Vdss)へドレインする。 | 1.2kV |
| 入力容量(Ciss) (Max) @ Vds | 182pF @ 800V |
| 現在25%で安全連続(id) @°c | 4.7A (Tc) |
| 駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) | 15V, 18V |
在庫が 90 pcs
| いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $8.71 | $8.54 | $8.37 |
最小: 1
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