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IPAN65R650CEXKSA1

メーカー:	Infineon Technologies
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	IPAN65R650CEXKSA1
説明:	MOSFET NCH 650V 10.1A TO220-3
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Infineon Technologies
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	CoolMOS™
fet234タイプ	N-Channel
包装	Tube
vgs max	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	Super Junction
部地位	Active
取付タイプ	Through Hole
パケット/場合	TO-220-3 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 210µA
作動温度	-40°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	650mOhm @ 2.1A, 10V
電力放蕩(マックス)	28W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	PG-TO220 Full Pack
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	23nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	650V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	440pF @ 100V
現在25%で安全連続(id) @°c	10.1A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	10V