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IPB009N03LGATMA1

メーカー: Infineon Technologies
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: IPB009N03LGATMA1
説明: MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Infineon Technologies
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ OptiMOS™
fet234タイプ N-Channel
包装 Digi-Reel®
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 0.95mOhm @ 100A, 10V
電力放蕩(マックス) 250W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ PG-TO263-7-3
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 227nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 30V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 25000pF @ 15V
現在25%で安全連続(id) @°c 180A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 4.5V, 10V

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