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IPB067N08N3GATMA1

メーカー: Infineon Technologies
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: IPB067N08N3GATMA1
説明: MOSFET N-CH 80V 80A TO263-3
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Infineon Technologies
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ OptiMOS™
fet234タイプ N-Channel
包装 Digi-Reel®
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 73µA
作動温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 6.7mOhm @ 73A, 10V
電力放蕩(マックス) 136W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ D²PAK (TO-263AB)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 56nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 80V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 3840pF @ 40V
現在25%で安全連続(id) @°c 80A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 6V, 10V

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