画像は参考までに、仕様書を参照してください

IPB093N04LGATMA1

メーカー: Infineon Technologies
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: IPB093N04LGATMA1
説明: MOSFET N-CH 40V 50A TO263-3
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Infineon Technologies
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ OptiMOS™
fet234タイプ N-Channel
包装 Digi-Reel®
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Obsolete
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 16µA
作動温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 9.3mOhm @ 50A, 10V
電力放蕩(マックス) 47W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ D²PAK (TO-263AB)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 40V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 2100pF @ 20V
現在25%で安全連続(id) @°c 50A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 4.5V, 10V

在庫が 98 pcs

いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
最小: 1

要求引用

下の書類に記入して、できるだけ早くご連絡します

Bargain Finds

IPB075N04LGATMA1
Infineon Technologies
$0
IPB072N15N3GE8187ATMA1
Infineon Technologies
$0
IPB049N06L3GATMA1
Infineon Technologies
$0
IPB041N04NGATMA1
Infineon Technologies
$0
IPB039N04LGATMA1
Infineon Technologies
$0