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IPB180N06S4H1ATMA1

メーカー:	Infineon Technologies
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	IPB180N06S4H1ATMA1
説明:	MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Infineon Technologies
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	OptiMOS™
fet234タイプ	N-Channel
包装	Tape & Reel (TR)
vgs max	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Discontinued at Digi-Key
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 200µA
作動温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	1.7mOhm @ 100A, 10V
電力放蕩(マックス)	250W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	PG-TO263-7-3
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	270nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	60V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	21900pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c	180A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	10V