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IPB60R190P6ATMA1

メーカー:	Infineon Technologies
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	IPB60R190P6ATMA1
説明:	MOSFET N-CH 600V TO263-3
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Infineon Technologies
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	CoolMOS™ P6
fet234タイプ	N-Channel
包装	Digi-Reel®
vgs max	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Obsolete
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 630µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	190mOhm @ 7.6A, 10V
電力放蕩(マックス)	151W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	D²PAK (TO-263AB)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	37nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	600V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	1750pF @ 100V
現在25%で安全連続(id) @°c	20.2A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	10V