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IPB80N06S4L05ATMA2

メーカー: Infineon Technologies
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: IPB80N06S4L05ATMA2
説明: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Infineon Technologies
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
fet234タイプ N-Channel
包装 Tape & Reel (TR)
vgs max ±16V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 60µA
作動温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 5.1mOhm @ 80A, 10V
電力放蕩(マックス) 107W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ PG-TO263-3-2
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 60V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 8180pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c 80A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 4.5V, 10V

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