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IPB80P03P4L04ATMA1

メーカー: Infineon Technologies
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: IPB80P03P4L04ATMA1
説明: MOSFET P-CH 30V 80A TO263-3
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Infineon Technologies
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ OptiMOS™
fet234タイプ P-Channel
包装 Tape & Reel (TR)
vgs max +5V, -16V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 253µA
作動温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 4.1mOhm @ 80A, 10V
電力放蕩(マックス) 137W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ PG-TO263-3-2
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 160nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 30V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 11300pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c 80A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 4.5V, 10V

在庫が 85 pcs

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