IPB80P04P4L08ATMA1
メーカー: | Infineon Technologies |
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対象品目: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
データシート: | IPB80P04P4L08ATMA1 |
説明: | MOSFET P-CH TO263-3 |
rohs地位: | rohs化 |
属性 | 属性値 |
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メーカー | Infineon Technologies |
対象品目 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
シリーズ | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
fet234タイプ | P-Channel |
包装 | Tape & Reel (TR) |
vgs max | ±16V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
fet特徴 | - |
部地位 | Active |
取付タイプ | Surface Mount |
パケット/場合 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 120µA |
作動温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Rdsデータ(Max) @ Vgs | 7.9mOhm @ 80A, 10V |
電力放蕩(マックス) | 75W (Tc) |
サプライヤー装置パッケージ | PG-TO263-3-2 |
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs | 92nC @ 10V |
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 | 40V |
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds | 5430pF @ 25V |
現在25%で安全連続(id) @°c | 80A (Tc) |
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) | 4.5V, 10V |
在庫が 68 pcs
いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.74 | $0.73 | $0.71 |
最小: 1