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IPC022N03L3X1SA1

メーカー:	Infineon Technologies
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	IPC022N03L3X1SA1
説明:	MOSFET N-CH 30V 1A SAWN ON FOIL
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Infineon Technologies
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	OptiMOS™
fet234タイプ	N-Channel
包装	Bulk
vgs max	-
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	Die
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
作動温度	-
Rdsデータ(Max) @ Vgs	50mOhm @ 2A, 10V
電力放蕩(マックス)	-
サプライヤー装置パッケージ	Sawn on foil
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	30V
現在25%で安全連続(id) @°c	1A (Tj)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	10V