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IPC100N04S51R7ATMA1

メーカー:	Infineon Technologies
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	IPC100N04S51R7ATMA1
説明:	MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Infineon Technologies
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	OptiMOS™
fet234タイプ	N-Channel
包装	Cut Tape (CT)
vgs max	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id	3.4V @ 60µA
作動温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	1.7mOhm @ 50A, 10V
電力放蕩(マックス)	115W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	PG-TDSON-8-34
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	83nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	40V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	4810pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c	100A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	7V, 10V