画像は参考までに、仕様書を参照してください
IPC302N12N3X1SA1
| メーカー: | Infineon Technologies |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| データシート: | IPC302N12N3X1SA1 |
| 説明: | MOSFET N-CH 120V 1A SAWN ON FOIL |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 対象品目 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| シリーズ | OptiMOS™ |
| fet234タイプ | N-Channel |
| 包装 | Bulk |
| vgs max | - |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| fet特徴 | - |
| 部地位 | Active |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パケット/場合 | Die |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 275µA |
| 作動温度 | - |
| Rdsデータ(Max) @ Vgs | 100mOhm @ 2A, 10V |
| 電力放蕩(マックス) | - |
| サプライヤー装置パッケージ | Sawn on foil |
| ソース電圧(Vdss)へドレインする。 | 120V |
| 現在25%で安全連続(id) @°c | 1A (Tj) |
| 駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) | 10V |
在庫が 75 pcs
| いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $2.90 | $2.84 | $2.79 |
最小: 1
要求引用
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