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IPC302N20N3X1SA1

メーカー: Infineon Technologies
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: IPC302N20N3X1SA1
説明: MOSFET N-CH 200V 1A SAWN ON FOIL
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Infineon Technologies
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ OptiMOS™
fet234タイプ N-Channel
包装 Bulk
vgs max -
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 Die
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 260µA
作動温度 -
Rdsデータ(Max) @ Vgs 100mOhm @ 2A, 10V
電力放蕩(マックス) -
サプライヤー装置パッケージ Sawn on foil
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 200V
現在25%で安全連続(id) @°c 1A (Tj)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 10V

在庫が 88 pcs

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