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IPD082N10N3GBTMA1
| メーカー: | Infineon Technologies |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| データシート: | IPD082N10N3GBTMA1 |
| 説明: | MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3 |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 対象品目 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| シリーズ | OptiMOS™ |
| fet234タイプ | N-Channel |
| 包装 | Tape & Reel (TR) |
| vgs max | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| fet特徴 | - |
| 部地位 | Obsolete |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パケット/場合 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 75µA |
| 作動温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rdsデータ(Max) @ Vgs | 8.2mOhm @ 73A, 10V |
| 電力放蕩(マックス) | 125W (Tc) |
| サプライヤー装置パッケージ | PG-TO252-3 |
| ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs | 55nC @ 10V |
| ソース電圧(Vdss)へドレインする。 | 100V |
| 入力容量(Ciss) (Max) @ Vds | 3980pF @ 50V |
| 現在25%で安全連続(id) @°c | 80A (Tc) |
| 駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) | 6V, 10V |
在庫が 80 pcs
| いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
最小: 1
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