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IPD180N10N3GATMA1

メーカー:	Infineon Technologies
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	IPD180N10N3GATMA1
説明:	MV POWER MOS
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Infineon Technologies
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	OptiMOS™
fet234タイプ	N-Channel
包装	Tape & Reel (TR)
vgs max	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 33µA
作動温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	18mOhm @ 33A, 10V
電力放蕩(マックス)	71W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	PG-TO252-3
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	25nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	100V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	1800pF @ 50V
現在25%で安全連続(id) @°c	43A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	6V, 10V