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IPD200N15N3GATMA1

メーカー: Infineon Technologies
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: IPD200N15N3GATMA1
説明: MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Infineon Technologies
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ OptiMOS™
fet234タイプ N-Channel
包装 Cut Tape (CT)
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 90µA
作動温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 20mOhm @ 50A, 10V
電力放蕩(マックス) 150W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ PG-TO252-3
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 31nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 150V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 1820pF @ 75V
現在25%で安全連続(id) @°c 50A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 8V, 10V

在庫が 8013 pcs

いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.47 $2.42 $2.37
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