Image is for reference only , details as Specifications

IPD25N06S4L30ATMA1

メーカー:	Infineon Technologies
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	IPD25N06S4L30ATMA1
説明:	MOSFET N-CH 60V 25A TO252-3
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Infineon Technologies
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	OptiMOS™
fet234タイプ	N-Channel
包装	Cut Tape (CT)
vgs max	±16V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Discontinued at Digi-Key
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 8µA
作動温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	30mOhm @ 25A, 10V
電力放蕩(マックス)	29W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	PG-TO252-3-11
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	16.3nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	60V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	1220pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c	25A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	4.5V, 10V