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IPD320N20N3GBTMA1

メーカー: Infineon Technologies
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: IPD320N20N3GBTMA1
説明: MOSFET N-CH 200V 34A TO252-3
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Infineon Technologies
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ OptiMOS™
fet234タイプ N-Channel
包装 Digi-Reel®
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Obsolete
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 90µA
作動温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 32mOhm @ 34A, 10V
電力放蕩(マックス) 136W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ PG-TO252-3
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 200V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 2350pF @ 100V
現在25%で安全連続(id) @°c 34A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 10V

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