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IPD60N10S4L12ATMA1

メーカー:	Infineon Technologies
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	IPD60N10S4L12ATMA1
説明:	MOSFET N-CH TO252-3
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Infineon Technologies
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
fet234タイプ	N-Channel
包装	Digi-Reel®
vgs max	±16V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id	2.1V @ 46µA
作動温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	12mOhm @ 60A, 10V
電力放蕩(マックス)	94W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	PG-TO252-3-313
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	49nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	100V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	3170pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c	60A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	4.5V, 10V