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IPD65R650CEATMA1

メーカー: Infineon Technologies
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: IPD65R650CEATMA1
説明: MOSFET N-CH 650V 10.1A TO252
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Infineon Technologies
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ CoolMOS™
fet234タイプ N-Channel
包装 Tape & Reel (TR)
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 Super Junction
部地位 Obsolete
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 0.21mA
作動温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 650mOhm @ 2.1A, 10V
電力放蕩(マックス) 86W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ PG-TO252-3
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 650V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 440pF @ 100V
現在25%で安全連続(id) @°c 10.1A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 10V

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