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IPD65R650CEATMA1

メーカー:	Infineon Technologies
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	IPD65R650CEATMA1
説明:	MOSFET N-CH 650V 10.1A TO252
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Infineon Technologies
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	CoolMOS™
fet234タイプ	N-Channel
包装	Tape & Reel (TR)
vgs max	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	Super Junction
部地位	Obsolete
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 0.21mA
作動温度	-40°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	650mOhm @ 2.1A, 10V
電力放蕩(マックス)	86W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	PG-TO252-3
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	23nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	650V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	440pF @ 100V
現在25%で安全連続(id) @°c	10.1A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	10V