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IPD80P03P4L07ATMA1

メーカー: Infineon Technologies
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: IPD80P03P4L07ATMA1
説明: MOSFET P-CH 30V 80A TO252-3
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Infineon Technologies
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ OptiMOS™
fet234タイプ P-Channel
包装 Digi-Reel®
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 130µA
作動温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 6.8mOhm @ 80A, 10V
電力放蕩(マックス) 88W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ PG-TO252-3
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 80nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 30V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 5700pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c 80A (Tc)

在庫が 2224 pcs

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