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IPD80R280P7ATMA1

メーカー: Infineon Technologies
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: IPD80R280P7ATMA1
説明: MOSFET N-CH 800V 17A TO252
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Infineon Technologies
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ CoolMOS™
fet234タイプ N-Channel
包装 Digi-Reel®
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 Super Junction
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 360µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 280mOhm @ 7.2A, 10V
電力放蕩(マックス) 101W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ TO-252
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 800V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 1200pF @ 500V
現在25%で安全連続(id) @°c 17A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 10V

在庫が 1302 pcs

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