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IPG20N04S4L11ATMA1

メーカー: Infineon Technologies
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート: IPG20N04S4L11ATMA1
説明: MOSFET 2N-CH 8TDSON
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Infineon Technologies
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
fet234タイプ 2 N-Channel (Dual)
包装 Cut Tape (CT)
fet特徴 Logic Level Gate
部地位 Active
-マックス 41W
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 15µA
作動温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 11.6mOhm @ 17A, 10V
サプライヤー装置パッケージ PG-TDSON-8-4
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 40V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 1990pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c 20A

在庫が 17428 pcs

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