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IPG20N06S3L-35

メーカー: Infineon Technologies
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート: IPG20N06S3L-35
説明: MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Infineon Technologies
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ OptiMOS™
fet234タイプ 2 N-Channel (Dual)
包装 Tape & Reel (TR)
fet特徴 Logic Level Gate
部地位 Obsolete
-マックス 30W
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 8-PowerVDFN
ベース部材番号 *PG20N06
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 15µA
作動温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 35mOhm @ 11A, 10V
サプライヤー装置パッケージ PG-TDSON-8-4
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 55V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 1730pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c 20A

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