画像は参考までに、仕様書を参照してください
IPG20N10S4L35AATMA1
| メーカー: | Infineon Technologies |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| データシート: | IPG20N10S4L35AATMA1 |
| 説明: | MOSFET 2N-CH 8TDSON |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 対象品目 | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
| fet234タイプ | 2 N-Channel (Dual) |
| 包装 | Tape & Reel (TR) |
| fet特徴 | Logic Level Gate |
| 部地位 | Active |
| -マックス | 43W |
| 取付タイプ | Surface Mount, Wettable Flank |
| パケット/場合 | 8-PowerVDFN |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 16µA |
| 作動温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rdsデータ(Max) @ Vgs | 35mOhm @ 17A, 10V |
| サプライヤー装置パッケージ | PG-TDSON-8-10 |
| ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs | 17.4nC @ 10V |
| ソース電圧(Vdss)へドレインする。 | 100V |
| 入力容量(Ciss) (Max) @ Vds | 1105pF @ 25V |
| 現在25%で安全連続(id) @°c | 20A |
在庫が 96 pcs
| いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.47 | $0.46 | $0.45 |
最小: 1
要求引用
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