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IPG20N10S4L35AATMA1

メーカー:	Infineon Technologies
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート:	IPG20N10S4L35AATMA1
説明:	MOSFET 2N-CH 8TDSON
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Infineon Technologies
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
fet234タイプ	2 N-Channel (Dual)
包装	Tape & Reel (TR)
fet特徴	Logic Level Gate
部地位	Active
-マックス	43W
取付タイプ	Surface Mount, Wettable Flank
パケット/場合	8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id	2.1V @ 16µA
作動温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	35mOhm @ 17A, 10V
サプライヤー装置パッケージ	PG-TDSON-8-10
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	17.4nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	100V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	1105pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c	20A