画像は参考までに、仕様書を参照してください

IPI034NE7N3 G

メーカー: Infineon Technologies
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: IPI034NE7N3 G
説明: MOSFET N-CH 75V 100A TO262-3
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Infineon Technologies
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ OptiMOS™
fet234タイプ N-Channel
包装 Tube
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Obsolete
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vgs(th) (Max) @ Id 3.8V @ 155µA
作動温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 3.4mOhm @ 100A, 10V
電力放蕩(マックス) 214W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ PG-TO262-3
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 117nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 75V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 8130pF @ 37.5V
現在25%で安全連続(id) @°c 100A (Tc)

在庫が 71 pcs

いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
最小: 1

要求引用

下の書類に記入して、できるだけ早くご連絡します

Bargain Finds

IPI023NE7N3 G
Infineon Technologies
$0
IPD90N06S4L06ATMA1
Infineon Technologies
$0
IPP60R520C6XKSA1
Infineon Technologies
$0
IPP45P03P4L11AKSA1
Infineon Technologies
$0
IPP45N06S4L08AKSA1
Infineon Technologies
$0