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IPI041N12N3GAKSA1

メーカー:	Infineon Technologies
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	IPI041N12N3GAKSA1
説明:	MOSFET N-CH 120V 120A TO262-3
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Infineon Technologies
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	OptiMOS™
fet234タイプ	N-Channel
包装	Tube
vgs max	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Through Hole
パケット/場合	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 270µA
作動温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	4.1mOhm @ 100A, 10V
電力放蕩(マックス)	300W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	PG-TO262-3
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	211nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	120V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	13800pF @ 60V
現在25%で安全連続(id) @°c	120A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	10V