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IPI111N15N3GAKSA1

メーカー: Infineon Technologies
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: IPI111N15N3GAKSA1
説明: MOSFET N-CH 150V 83A TO262-3
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Infineon Technologies
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ OptiMOS™
fet234タイプ N-Channel
包装 Tube
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 160µA
作動温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 11.1mOhm @ 83A, 10V
電力放蕩(マックス) 214W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ PG-TO262-3
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 55nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 150V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 3230pF @ 75V
現在25%で安全連続(id) @°c 83A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 8V, 10V

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