画像は参考までに、仕様書を参照してください

IPI26CNE8N G

メーカー: Infineon Technologies
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: IPI26CNE8N G
説明: MOSFET N-CH 85V 35A TO262-3
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Infineon Technologies
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ OptiMOS™
fet234タイプ N-Channel
包装 Tube
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Obsolete
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 39µA
作動温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 26mOhm @ 35A, 10V
電力放蕩(マックス) 71W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ PG-TO262-3
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 31nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 85V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 2070pF @ 40V
現在25%で安全連続(id) @°c 35A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 10V

在庫が 60 pcs

いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
最小: 1

要求引用

下の書類に記入して、できるだけ早くご連絡します

Bargain Finds

IPI26CN10N G
Infineon Technologies
$0
IPI22N03S4L15AKSA1
Infineon Technologies
$0
IPI200N15N3 G
Infineon Technologies
$0
IPI16CNE8N G
Infineon Technologies
$0
IPI16CN10N G
Infineon Technologies
$0