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IPI90R1K0C3XKSA1

メーカー: Infineon Technologies
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: IPI90R1K0C3XKSA1
説明: MOSFET N-CH 900V 5.7A TO-262
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Infineon Technologies
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ CoolMOS™
fet234タイプ N-Channel
包装 Tube
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Obsolete
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 370µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 1Ohm @ 3.3A, 10V
電力放蕩(マックス) 89W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ PG-TO262-3
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 34nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 900V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 850pF @ 100V
現在25%で安全連続(id) @°c 5.7A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 10V

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